新黄河记者:苏冉

AI算力浪潮席卷全球,带动存储龙头站上资本风口。5月27日,上交所上市委发布公告,国内第一大DRAM(动态随机存取存储器)厂商长鑫科技科创板IPO过会。这是科创板开板以来募资规模第二大的IPO项目,市场看好其市值冲击2万亿元到3万亿元区间。
市场喧嚣之外,有专家指出,长鑫科技依旧需要跨越技术壁垒,产品迭代与业绩稳定性成最大挑战。

拟募资295亿元,科创板史上第二大IPO项目
从2016年到2026年,长鑫科技这家成立仅十年的企业成为科创板开板以来最具分量的IPO之一。
长期以来,全球DRAM市场被三星、SK海力士、美光三巨头垄断,三者合计份额超过90%。长鑫科技位列全球第四(2025年第四季度市场份额为7.67%),是唯一具备冲击第一梯队潜力的中国企业。
从规模来看,本次IPO,长鑫科技拟募集资金总额为295亿元,这也是科创板史上第二大IPO,仅次于中芯国际(首发募资532.3亿元)。招股书显示,募资将用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目和动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。

业绩层面,从2023年的亏损到2025年的扭亏为盈,长鑫科技只用了3年时间。今年一季度业绩非常亮眼,公司实现营业收入508亿元,同比增长719.13%;归母净利润247.62亿元,同比扭亏为盈,折合日均盈利超2.75亿元,盈利能力在芯片行业里相当突出。
业绩高速增长的背后,是DRAM市场结构性供需紧张格局。招股说明书指出,全球算力需求持续扩张叠加主要厂商产能调配影响,DRAM产品自2025年下半年以来价格持续大幅上涨,并延续至2026年一季度。价格红利与公司产销规模扩张、产品结构优化形成共振,推动公司营业收入、利润各项指标全面跃升。
回头来看,长鑫科技IPO进程颇为高效。公司IPO于2025年12月30日获受理,也是科创板试点IPO预先审阅机制后的首单受理项目。今年5月17日,长鑫科技更新IPO招股书(申报稿),审核状态由“中止”恢复为“已受理”。从最初获受理到顺利过会,长鑫科技用时148天,再次跑出科创速度。

值得一提的是,这次上市背后,还有一批大赢家悄悄赚翻。农行、建行、工行、中行、交行五大国有银行的AIC平台,早在2024年就集中入股长鑫科技。按照当前持股比例估算,一旦长鑫科技市值达到2万亿元,这些银行持有的股份市值能达到几十亿甚至上百亿元,浮盈大概率超过10倍。
作为行业“追赶者”,仍有多重挑战待解
不过,喜报之外,长鑫科技依然面临诸多挑战。
业界指出,长鑫科技在通用DRAM上已实现突破:DDR5最高速率8000Mbps,核心指标已对齐国际一线。但在量产节奏和先进制程上,它与三星、SK海力士、美光仍有差距,尤其是在HBM(高带宽存储)这个AI时代最核心的赛道上,差距更为明显。
HBM的技术壁垒远高于普通DRAM,需要在极为精密的3D堆叠封装工艺上实现良率攻关。根据广发证券等机构研报及行业分析,长鑫科技目前主力量产的是第四代工艺(约17nm/16nm制程),而三星、SK海力士、美光已量产第六代10nm级1c DRAM,两边存在约1.5到2代的差距。在HBM领域,长鑫科技2025年年底才拿出HBM3样品,而三星、SK海力士已经在研发HBM4了。

这一差距的背后,有难以逾越的设备和工艺壁垒。相比普通DRAM,HBM的制造复杂度明显更高,其核心在于3D堆叠、TSV(硅通孔)等先进封装技术。由于多层芯片需要进行高精度垂直互联,单层键合良率通常要求达到99%以上,任何一个环节出现误差,都可能导致整颗芯片失效。
更深层的挑战在于,追赶者的困境,不仅在于弥合已有的差距,更在于如何在对方还在高速奔跑的情况下,持续缩小相对距离。
此外,折旧成本依旧高企。一条先进DRAM产线的建设成本,通常在数百亿元量级;而芯片设备的折旧周期通常为5到10年,这意味着无论这条产线是满负荷运转还是闲置停产,每年的折旧费用都是刚性支出。
长鑫目前固定资产规模庞大,年折旧规模相当可观。这意味着,一旦产品价格下跌,或者产能利用率因市场波动而下滑,利润下行的速度会远超收入下行的速度。

不仅如此,DRAM市场的周期性是这个行业最为人熟知的特征。由于产品高度同质化,下游需求受宏观经济和消费电子景气度驱动,而供给端的产能扩张具有明显的时滞效应,导致价格经常在供不应求和供过于求之间大幅震荡。
2023年,受行业深度下行等因素影响,三星全年营业利润同比下降84%,SK海力士亏损约70亿美元,美光亏损约58亿美元。整个行业集体陷入困境,长鑫自然也不例外。
长鑫当前的强劲盈利,在相当程度上依托于AI驱动的需求繁荣和对应的价格高位。一旦AI基础设施投资阶段性放缓,或者供给端在三巨头的持续扩产下重新过剩,盈利数字的回落将是快速而剧烈的。
半导体产业从来不是一帆风顺的赛道。长鑫需要继续保持技术迭代速度、提升良率、深化产业链协同,才能在激烈竞争中站稳脚跟。

编辑:曹梦佳 校对:刘恬








