新黄河记者：张帅  

7月10日下午，山东省人民政府新闻办公室举办“奋进‘十五五’”记者见面会。本次见面会以“新时代新征程青春挺膺担当”为主题，邀请中国青年五四奖章获得者代表亮相，分享青年科研工作者扎根一线、攻坚突破、实干创新的一线故事，展现齐鲁青年助力高质量发展、服务“十五五”开局建设的青春力量。

本次见面会中，2026年度中国青年五四奖章获奖者，山东天岳先进科技股份有限公司执行董事、首席技术官，山东省碳化硅材料重点实验室主任高超详解第三代半导体碳化硅材料国产化攻坚历程，披露山东在高端半导体材料领域的多项全球突破性成果。

碳化硅融入民生多领域，系国家战略核心材料

高超长期深耕宽禁带半导体碳化硅单晶材料的研发与产业化工作。据其介绍，半导体是各类芯片制造的核心基石，长期由西方主导核心技术与产业体系。而他主攻的第三代半导体碳化硅，是适配国防、5G/6G通信、新能源、人工智能赛道的关键战略材料。

看似专业小众的碳化硅材料，已广泛应用于大众日常生活场景。在5G基站领域，碳化硅射频芯片提升信号传输效率，保障通信稳定流畅；在新能源汽车领域，碳化硅功率芯片有效延长续航、压缩充电时长，缓解行业普遍的里程、充电双重焦虑；在人工智能领域，该材料是AI数据中心、大功率芯片散热、AR智能穿戴设备的核心配套组件。同时，碳化硅器件可大幅降低能耗，是助力全社会实现“双碳”目标的重要技术路径。

十年数万次实验，实现中尺寸晶片全球市占第一

凭借极高的战略价值，碳化硅核心制备技术长期被海外垄断，并对我国实施技术禁运。为填补国家战略空白，高超带领团队聚焦碳化硅产业链最难的单晶、晶片制备技术，开启长期攻坚之路。

历经十年深耕、数万次反复实验，团队逐一攻克高纯度原料合成、高质量单晶制备、超精密晶片加工全链条核心技术，顺利实现技术落地与产业化转化。目前，团队研发的6-8英寸碳化硅晶片，市场占有率稳居全球第一，成功实现中尺寸半导体碳化硅材料的国产赶超，跑出中国科创速度。

攻坚行业“不可能”，12英寸晶片实现从零到一突破

在稳固现有技术优势后，团队瞄准业界公认难度极大、可行性极低的12英寸碳化硅单晶技术发起攻关。据高超介绍，碳化硅单晶需在2300℃高温、近真空环境下精准控制原子排列，晶体尺寸越大，制备难度呈指数级攀升。8英寸至12英寸的尺寸升级，并非简单扩容，需要重构晶体生长体系，全套设备、工艺、工装均需自主重新设计搭建。

攻坚阶段，行业内外不乏质疑声音，但团队并未止步退缩。科研人员自主研发12英寸单晶生长装备，搭建数百套仿真模型调试参数，通过甘特图精细化管控每小时工序精度，将单次技术迭代周期从三个月压缩至两周，大幅提升攻坚效率。

2024年，团队在慕尼黑电子展全球首发12英寸碳化硅单晶晶片，率先突破该领域技术空白并实现量产应用。该成果斩获第31届国际电子材料金奖，系该奖项设立31年来首次授予中国企业。目前，12英寸碳化硅半导体晶片已入选中国制造“十四五”成就展、入驻国家博物馆展出，现已实现批量生产并逐步落地人工智能等全新应用场景。

“让国产半导体原始创新技术牢牢掌握在自己手中”，这是团队十年攻坚的核心信念。高超表示，未来将带领科研团队持续深耕第三代半导体领域，持续打磨核心技术、迭代优化工艺体系，不断拓宽碳化硅材料应用场景。以青年科创担当，助力我国半导体材料产业摆脱外部依赖、实现高水平自立自强，为科技强国建设持续注入山东青春动能。

编辑：吕冰  校对：汤琪